Материалы для электроники будущего создают ученые Курчатовского института⚡️

Сотрудники НИЦ «Курчатовский институт» разработали новую концепцию создания материалов для электроники будущего. Эти материалы интегрируют в себе два компонента: функциональный оксид и полупроводниковую платформу. Концепция состоит в управлении интерфейсом оксид/полупроводник на субмонослойном уровне. Предложенный подход универсален и позволяет получать структуры с уникальными свойствами, востребованными в электронике и спинтронике, сообщает пресс-служба научно-исследовательского центра.

«Электроника, в основе которой лежит кремниевая платформа, подошла к своему технологическому пределу. Дальнейшее развитие требует создания компактных устройств с низким потреблением энергии, для которых, соответственно, нужны новые материалы. С одной стороны, они должны задействовать существующую полупроводниковую технологическую платформу, а с другой — предоставить набор новых свойств», — пояснил руководитель проекта РНФ Дмитрий Аверьянов.

Разработанная в Курчатовском институте стратегия синтеза заключается в двухэтапной модификации поверхности. На первом этапе на поверхности полупроводника производится синтез субмонослойной суперструктуры атомов металла. Такой интерфейс защищает полупроводник от окисления, но не обеспечивает монокристалличность структуры. Необходимый результат достигается контролируемым окислением металлической суперструктуры.

«Наш подход состоит в управлении химическими связями на интерфейсе оксида и полупроводника. Он неизменно переводит поликристаллические пленки в монокристаллы независимо от полупроводниковой платформы, металлической суперструктуры и типа функционального оксида. Ключевым ингредиентом является поиск оптимальной степени окисления интерфейса. Этот неортодоксальный дизайн интерфейса может быть использован для разработки новых устройств электроники», — подводит итог Дмитрий Аверьянов.

Фото: пресс-служба НИЦ «Курчатовский институт»

#сделановроссии
#электроника
#материалы

🇷🇺 Подписывайтесь на «Сделано в России»