Караульный Z
120K subscribers
203K photos
91.5K videos
269 files
183K links
Медиапространство ручной работы.
加入频道
May 5, 2022
Forwarded from RUSmicro
(2) Третий шаг - в период после 2030 года заниматься развитием технологии оптико-электронной конвергенции.

Использование цифровой инфраструктуры и информационной сети, ядром для формирования которой выступают полупроводники, дает возможность возродить устаревшие предприятия и инфраструктуру.
Также желательны инвестиции американских предприятий - IBM, Intel и других - это могло бы помочь преодолеть рост дефицита внешнеторгового баланса. Соответствующие проекты помогли бы ослабить или остановить депопуляцию, реформировать стиль труда японцев, а может быть и рост численности населения страны.

Только при сочетании всех этих не очень вероятных факторов у Японии появится возможность восстановить конкурентоспособность предприятий.

На какое-то время состояние государственных финансов ухудшится но в долгосрочном плане все это поспособствует его улучшению. Это можно уподобить капитальному ремонту многоквартирного дома. Если делать сейчас, то можно обойтись крупномасштабными ремонтными работами, но если откладывать вопрос на потом, то в конечном счете придется сносить и полностью перестраивать, что приведет к еще большим расходам, сумма которых окажется просто астрономической.

В общем, японцам предлагается пойти ва-банк. Но насколько они к этому готовы? Мое ощущение - не готовы, поэтому вероятность успешной реализации плана мне кажется небольшой.

nippon.com - подробнее

#геополитикаимикроэлектроника #микроэлектроника #Япония #политика #полупроводники
December 17, 2022
Forwarded from RUSmicro
🇷🇺 Научные исследования. Перспективные материалы

В России экспериментируют с
полупроводником третьего поколения

Так нередко называют оксид галлия (Ga2O3). В МИСИС совместно с коллегами из компании "Совершенные кристаллы" вырастили пленку оксида галлия (k-Ga2O3) на подложке нитрида алюминия (AlN), изучили структуру и электрические свойства этой пленки.

Эксперименты подтвердили возможность получения так называемого "двумерного газа" (2DHG), который образуется на гетерогранице пленки k-Ga2O3 с другими широкозонными полупроводниками, например k-Ga2O3/AlN. В итоге такая структура демонстрировала дырочный тип проводимости, когда основным источником заряда являются дырки, а не электроны.

Этому эффекту, как выяснили ученые, материал обязан спонтанной поляризации, когда заряд поляризации материала компенсируется положительным зарядом дырок на гетерогранице, что и называют "двумерным газом". На основе этого эффекта можно создавать транзисторы с высокой подвижностью носителей заряда.

Ученые планируют продолжить эксперименты. На этот раз за основу возьмут β-оксид галлия, преобразуют его k-Ga2O3 и будут экспериментировать с добавлением большой дозы галлия, никеля, кислорода и золота.

Подробнее об эксперименте можно почитать в источнике - tadviser.ru

Также об оксиде галлия можно почитать на MForum.

#Ga2O3 #оксидгаллия #полупроводники #микроэлектроника #наука
January 4, 2023