### Российский литографический лазер для полупроводников будет готов не раньше 2026 года. После этого Россия станет третьей страной, производящей такие установки, наряду с Японией и США.

ГК «Лассард» уже создала два прототипа лазера. Они будут испытаны в следующем году. Цель — наладить массовое производство к 2026 году. Установка позволит производить чипы с технологическими нормами 350 нм с последующим переходом на 130 нм.

#литография #лазер #полупроводники #Россия #технологии


@techfuturex

В Китае проходят испытания первой отечественной установки для EUV-литографии. В отличие от ASML, китайская машина использует технологию LDP вместо LPP. Испытания проводятся на заводе Huawei в Дунгуане.

Пробное производство чипов с использованием новой установки планируется начать в третьем квартале 2025 года, а массовое – в 2026 году.

Это важный шаг для Китая на пути к независимости в производстве полупроводников и снижению зависимости от ASML в условиях ограничений на экспорт со стороны США.


#Китай #EUV #литография #полупроводники #Huawei

@cont_ws